MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module

MPIM600M112TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 600 А, 1.7 В, 3 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
6 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
41 300 руб.
от 2 шт.34 740 руб.
от 3 шт.33 010 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 41 300 руб.
Номенклатурный номер: 8007976904
Артикул: MPIM600M112TG5
Бренд: Multicomp

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.7В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 600А
DC Ток Коллектора 600А
Power Dissipation 3кВт
Выводы БТИЗ Solder
Количество Выводов 11вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.7В
Полярность Транзистора Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность 3кВт
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 5(Trench)
Вес, кг 1.7

Техническая документация

Datasheet MPIM600M112TG5
pdf, 830 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.