MPIM650H217TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 650 А, 1.85 В, 4.16 кВт, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт., срок 8-10 недель

Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка

79 970 руб.

от 2 шт. — 76 000 руб.

от 3 шт. — 70 410 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 79 970 руб.

Номенклатурный номер: 8007243266

Артикул: MPIM650H217TG5

Бренд: Multicomp

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Collector Emitter Saturation Voltage	1.85В
Collector Emitter Voltage Max	1.7кВ
Continuous Collector Current	650А
DC Ток Коллектора	650А
Power Dissipation	4.16кВт
Выводы БТИЗ	Solder
Количество Выводов	10вывод(-ов)
Конфигурация БТИЗ	Half Bridge
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	1.7кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.85В
Полярность Транзистора	Двойной N Канал
Рассеиваемая Мощность	4.16кВт
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	IGBT 5(Trench)
Вес, кг	1.8