MPIM900H212TG5, БТИЗ массив и модульный транзистор, Half Bridge, 900 А, 1.75 В, 4.23 кВт, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
84 970 руб.
от 2 шт. —
80 740 руб.
от 3 шт. —
74 810 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 84 970 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.75В |
Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
Continuous Collector Current | 900А |
DC Ток Коллектора | 900А |
Power Dissipation | 4.23кВт |
Выводы БТИЗ | Solder |
Количество Выводов | 10вывод(-ов) |
Конфигурация БТИЗ | Half Bridge |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
Монтаж транзистора | Panel |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.75В |
Полярность Транзистора | Двойной N Канал |
Рассеиваемая Мощность | 4.23кВт |
Стиль Корпуса Транзистора | Module |
Технология БТИЗ | IGBT 5(Trench) |
Вес, кг | 1.8 |
Техническая документация
Datasheet MPIM900H212TG5
pdf, 4451 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.