MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 800 руб.
от 5 шт. —
3 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 800 руб.
Описание
Trans RF FET N-CH 40V 6A 7-Pin TO-272 WARP T/R
Технические параметры
Структура | N-канал | |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 | |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 | |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 35 | |
Корпус | TO-272-6 WRAP | |
Максимальная Рабочая Температура | 200 C | |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) | |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3 - 168 hours | |
Максимальная Рабочая Частота | 520МГц | |
Рассеиваемая Мощность | 35Вт | |
Напряжение Истока-стока Vds | 40в | |
Непрерывный Ток Стока | 6А | |
Минимальная Рабочая Частота | 400мгц | |
Корпус РЧ Транзистора | TO-272 | |
Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet MRF1535N
pdf, 667 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов