MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]

MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3 800 руб.
от 5 шт.3 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 800 руб.
Номенклатурный номер: 9000385768
Артикул: MRF1535NT1
Бренд: NXP Semiconductor

Описание

Trans RF FET N-CH 40V 6A 7-Pin TO-272 WARP T/R

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 35
Корпус TO-272-6 WRAP
Максимальная Рабочая Температура 200 C
Количество Выводов 6вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3 - 168 hours
Максимальная Рабочая Частота 520МГц
Рассеиваемая Мощность 35Вт
Напряжение Истока-стока Vds 40в
Непрерывный Ток Стока
Минимальная Рабочая Частота 400мгц
Корпус РЧ Транзистора TO-272
Вес, г 3

Техническая документация

Datasheet MRF1535N
pdf, 667 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов