Мой регион: Россия

MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]

Ном. номер: 9000385768
Артикул: MRF1535NT1
Производитель: NXP Semiconductor
MRF1535NT1, Транзистор Field Effect, Lateral N-канал, 520 МГц, 35 Вт, 12.5 В [TO-272-6 WRAP]
2 030 руб.
45 шт. со склада г.Москва
от 15 шт. — 2 020 руб.
от 150 шт. — по запросу
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 030 руб.
В кредит от 0 руб./мес

The MRF1535NT1 is a lateral N-channel broadband RF Power MOSFET designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies to 520MHz. The high gain and broadband performance of this device makes it ideal for large-signal, common source amplifier applications in 12.5V mobile FM equipment.

• Capable of handling 20: 1 VSWR (at 15.6VDC, 520MHz, 2dB overdrive)
• Excellent thermal stability
• Characterized with series equivalent large-signal impedance parameters
• 55% Efficiency (at 520MHz, 12.5V)
• 13.5dB Power gain (at 520MHz, 12.5V)
• ±20V Gate to Source voltage (VGS)
• LDMOS Die technology
• 0.9°C/W Thermal resistance

Технические параметры

Вес, г
3

Техническая документация

MRF1535N
pdf, 667 КБ

Дополнительная информация

Datasheet MRF1535NT1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.