MRF1K50NR5
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 880 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 880 руб.
Описание
Транзисторы RF-power
транз: PRF 1500W, 50V , >22.7dB, >72.8%, 1.8 - 500МГц, LDMOS, пластик
Технические параметры
| Power Dissipation | 2.941кВт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Корпус РЧ Транзистора | OM-1230 |
| Линейка Продукции | MRF1K50N |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Рабочая Частота | 1.8МГц |
| Минимальная Рабочая Частота | 500МГц |
| Напряжение Истока-стока Vds | 133В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.941кВт |
| Стиль Корпуса Транзистора | OM-1230 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 133 |
| Maximum Frequency (MHz) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 10 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2941000 |
| Maximum VSWR | 65 |
| Minimum Frequency (MHz) | 1.8 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
| Mode of Operation | Pulse |
| Mounting | Surface Mount |
| Output Power (W) | 1500(Typ) |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 5 |
| Pin Count | 5 |
| PPAP | No |
| Process Technology | LDMOS |
| Supplier Package | Case OM-1230 L |
| Type | MOSFET |
| Typical Drain Efficiency (%) | 73 |
| Typical Forward Transconductance (S) | 33.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 683@50V |
| Typical Output Capacitance @ Vds (pF) | 219@50V |
| Typical Power Gain (dB) | 23 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 5.77@50V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 133 |
| Maximum Frequency - (MHz) | 500 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 10 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2941000 |
| Military | No |
| Minimum Frequency - (MHz) | 1.8 |
| Operating Temperature - (??C) | -40~150 |
| Output Power - (W) | 1500 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 683@50V |
| Typical Power Gain - (dB) | 23 |
| Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
