MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]

MS4N1350E, Транзистор N-MOSFET 1350В 4А 80Вт [TO-263]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
246 шт. со склада г.Москва
170 руб.
от 10 шт.153 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Номенклатурный номер: 9001265910
Артикул: MS4N1350E

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 1500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±30
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 9 Ом/1.3А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 80
Крутизна характеристики, S 2.6
Корпус TO-263
Пороговое напряжение на затворе 3.2…6
Вес, г 2.4

Техническая документация

MS4N1350
pdf, 1335 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.