MSG50T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 50А 368Вт [TO-247]

MSG50T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 50А 368Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
204 шт. со склада г.Москва
210 шт. ожидается на склад г.Москва после 6 июня 2024 г.
240 руб.
от 10 шт.216 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 240 руб.
Номенклатурный номер: 9001335629
Артикул: MSG50T65HHC0

Технические параметры

Технология/семейство Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 100
Импульсный ток коллектора (Icm), А 200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.6
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 368
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 33
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 140
Рабочая температура (Tj), °C -55…+175
Корпус TO-247
Вес, г 7

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.