MSG80T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 80А 260Вт [TO-247]

MSG80T65HHC0, Транзистор IGBT 650В 80А 260Вт [TO-247]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
198 шт. со склада г.Москва
480 руб.
от 10 шт.427 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 480 руб.
Номенклатурный номер: 9001335633
Артикул: MSG80T65HHC0

Технические параметры

Технология/семейство Trench/Field-Stop
Наличие встроенного диода Да
Максимальное напряжение КЭ ,В 650
Максимальный ток КЭ при 25°C, A 160
Импульсный ток коллектора (Icm), А 300
Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.45
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 260
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс 25
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 340
Рабочая температура (Tj), °C -55…+150
Корпус TO-247
Вес, г 7

Техническая документация

MSG80T65HHC0
pdf, 2938 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.