MT25QL01GBBB8ESF-0AAT, Флеш память, Последовательная NOR, 1 Гбит, 128M x 8bit, SPI, WSOIC, 16 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 050 руб.
от 5 шт. —
5 690 руб.
от 10 шт. —
5 540 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 6 050 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\FLASH
Технические параметры
IC Case / Package | WSOIC |
Interfaces | SPI |
Memory Configuration | 128M x 8bit |
Количество Выводов | 16вывод(-ов) |
Конфигурация Флэш-памяти | 128М x 8бит |
Линейка Продукции | 3V Serial NOR Flash Memories |
Максимальная Рабочая Температура | 105°C |
Максимальная Тактовая Частота | 133МГц |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 3В |
Плотность Памяти | 1Гбит |
Размер Памяти | 1Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | WSOIC |
Тактовая Частота | 133МГц |
Тип Flash Памяти | Последовательная NOR |
Тип Интерфейса ИС | SPI |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 hours |
Вес, г | 0.68 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1231 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем