MT62F2G32D4DS-026 WT:B, DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Гбит, 2G x 32bit, 3.75 ГГц, TFBGA, 315 вывод(-ов)
см. техническую документацию
Описание
• Y42M mobile LPDDR5 SDRAM
• 17.1GB/s maximum bandwidth per channel, selectable CKR (WCK: CK = 2: 1 or 4: 1)
• Single x16 channel/die, double-data-rate command/address entry
• Differential data clocks (WCK
• t/WCK
• c), background ZQ calibration/command-based ZQ calibration
• Partial-array self refresh (PASR) and partial-array auto refresh (PAAR) with segment mask
• I/O type: low-swing single-ended, VSS terminated, VOH-compensated output drive
• Dynamic voltage frequency scaling core, single-ended CK, single-ended WCK and single-ended RDQS
• Operating voltage is 1.05V VDD2/0.5V VDDQ
• 2 Gig x 32 configuration
• 315-ball TFBGA package, -25°C <= Tc <= +85°C operating temperature
Технические параметры
IC Case / Package | TFBGA |
Memory Configuration | 2G x 32bit |
Количество Выводов | 315вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Тактовая Частота | 3.75ГГц |
Минимальная Рабочая Температура | -25°C |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Номинальное Напряжение Питания | 1.05В |
Плотность Памяти | 64Гбит |
Тип DRAM | Mobile LPDDR5 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем