NB3M8302CDR2G, Разветвительный буфер, LVCMOS, LVTTL 1:2, 200МГц, 2 выхода, 3.135В до 3.465В питание, SOIC-8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
480 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
от 10 шт. —
400 руб.
от 100 шт. —
313 руб.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 2 880 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Таймеры, Генераторы и Управление Частотой\Генераторы и Формироваетли Тактовых Сигналов
Технические параметры
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество Выходов | 2выход(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.465В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40 C |
| Минимальное Напряжение Питания | 3.135В |
| Стиль Корпуса ИС Тактового Генератора | SOIC |
| Тип Микросхемы Таймера | Буфер Разветвления |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Частота | 200МГц |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Datasheet NB3M8302CDR2G
pdf, 82 КБ
