NCV1413BDR2G, Транзистор

Фото 1/3 NCV1413BDR2G, Транзистор
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
55 руб.
от 5 шт.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 55 руб.
Номенклатурный номер: 9000532458
Артикул: NCV1413BDR2G

Описание

Транзисторы Дарлингтона High Voltage High Current Darlington

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.5 mm
Длина 10 mm
Категория продукта Транзисторы Дарлингтона
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Конфигурация Array 7
Максимальная рабочая температура + 125 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 2500
Серия NCV1413
Тип продукта Darlington Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOIC-16
Ширина 4 mm
Вес, г 0.638

Техническая документация

Datasheet
pdf, 75 КБ
Datasheet NCV1413BDR2G
pdf, 77 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов