NHDTC114ETVL, Биполярный цифровой/смещение транзистор, Single NPN, 80 В, 100 мА, 10 кОм, 10 кОм
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19890 шт., срок 8-10 недель
50 руб.
Мин. кол-во для заказа 55 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
22 руб.
Добавить в корзину 55 шт.
на сумму 2 750 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\С Предварительным Смещением / Цифровые Биполярные Транзисторы
Технические параметры
Collector Emitter Voltage Max NPN | 80В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 50hFE |
Power Dissipation | 250мВт |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | TO-236AB |
Линейка Продукции | NHDTC114ET Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 80В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
Полярность Транзистора | Single NPN |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 1соотношение |
Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.