NJW1302G, Bipolar Transistors - BJT 200W TO-3P PNP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 170 руб.
от 10 шт. —
990 руб.
от 30 шт. —
829 руб.
от 120 шт. —
679.64 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 170 руб.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 250 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -250 V |
| Maximum DC Collector Current | -15 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 1 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-3P |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
