NSS12200LT1G, Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

130 руб.

от 10 шт. — 110 руб.

от 100 шт. — 53 руб.

от 1000 шт. — 42.13 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.

Номенклатурный номер: 8006221326

Артикул: NSS12200LT1G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT

Биполярные транзисторы - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR

Pd - рассеивание мощности	540 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.94 mm
Длина	2.9 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	250
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	4 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	12 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	12 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.13 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Непрерывный коллекторный ток	2 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	NSS12200L
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.3 mm
Вес, г	0.008

pdf, 127 КБ

Мы рекомендуем