NST3906F3T5G
11 руб.
Мин. кол-во для заказа 32 шт.
от 50 шт. —
8.60 руб.
от 100 шт. —
7.73 руб.
Добавить в корзину 32 шт.
на сумму 352 руб.
Описание
40V 290mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-1123-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Технические параметры
| Collector Current (Ic) | 200mA |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 40V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 400mV@5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 100@10mA, 1V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 290mW |
| Transistor Type | PNP |
| Transition Frequency (fT) | 250MHz |
