NST45011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 150 hFE, SOT-363

NST45011MW6T1G, Массив биполярных транзисторов, AEC-Q101, Двойной NPN, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 150 hFE, SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
110 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт.70 руб.
Добавить в корзину 25 шт. на сумму 2 750 руб.
Номенклатурный номер: 8180824788
Артикул: NST45011MW6T1G

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT
Биполярные транзисторы - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 380 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 0.9 mm
Длина 2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 150
Конфигурация Dual
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия NST45011MW6T1G
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-363-6
Ширина 1.25 mm
Вес, г 0.016

Техническая документация

NST45011MW6
pdf, 108 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов