NSVBC847BLT3G

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

22 руб.

Мин. кол-во для заказа 16 шт.

от 25 шт. — 18 руб.

от 100 шт. — 15 руб.

Добавить в корзину 16 шт. на сумму 352 руб.

Номенклатурный номер: 8025261386

Биполярные транзисторы - BJT SS SOT23 GP XSTR NPN 45V

Pd - рассеивание мощности	225 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-23-3

pdf, 236 КБ

Мы рекомендуем