NSVJ5908DSG5T1G, ПТ с управляющим p-n-переходом (JFET), -15 В, 32 мА, -1.5 В, MCPH, 5 Выводов, 150 °C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
186 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 3 450 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Полевые Транзисторы с Управляющим P-N-переходом (JFET)
Automotive JFET designed for compact and efficient designs and including high gain performance. JFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -15В |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 5 Выводов |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -1.5В |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 32мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 10мА |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | MCPH |
| Тип Транзистора | JFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 15 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | MCPH |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.6mm |
| Вес, г | 1.36 |
Техническая документация
Datasheet NSVJ5908DSG5T1G
pdf, 568 КБ
Datasheet NSVJ5908DSG5T1G
pdf, 164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
