NSVMMBT2907AM3T5G, Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 600 мА, 640 мВт, SOT-723, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

81 руб.

Мин. кол-во для заказа 35 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 31 руб.

Добавить в корзину 35 шт. на сумму 2 835 руб.

Номенклатурный номер: 8003073762

Артикул: NSVMMBT2907AM3T5G

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT SS GP PNP TRANSISTOR

Pd - рассеивание мощности	640 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	50
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	600 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	200 MHz
Размер фабричной упаковки	8000
Серия	MMBT2907AM3
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SOT-723-3
Вес, г	0.4

pdf, 146 КБ

Мы рекомендуем