NTZD3155CT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 354 руб.
Технические параметры
Case | SOT563F |
Drain current | 0.39/-0.31A |
Drain-source voltage | -20/20V |
Gate charge | 1.5/1.7nC |
Gate-source voltage | ±6V |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | reel, tape |
Kind of transistor | complementary pair |
Manufacturer | ONSEMI |
Mounting | SMD |
On-state resistance | 400/500mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 0.25W |
Type of transistor | N/P-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet NTZD3155CT1G
pdf, 85 КБ