NTZD3155CT1G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
59 руб.
Мин. кол-во для заказа 6 шт.
Добавить в корзину 6 шт.
на сумму 354 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой NTZD3155CT1G производства ONSEMI является высококачественным компонентом для современной электроники. Этот N-MOSFET транзистор сочетает в себе малые габариты благодаря SMD-монтажу в корпусе SOT563-6 и отличные рабочие характеристики. С током стока 0,39 А и напряжением сток-исток в 20 В, он обеспечивает надежное коммутационное управление в электронных схемах. Мощность устройства составляет 0,25 Вт, а сопротивление в открытом состоянии всего 0,4 Ом, что гарантирует его высокую эффективность при минимальных потерях мощности. Использование модели NTZD3155CT1G от ONSEMI позволяет разработчикам создавать компактные и энергоэффективные устройства. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 0.39 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.25 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.4 |
| Корпус | SOT563-6 |
Технические параметры
| Case | SOT563F |
| Drain current | 0.39/-0.31A |
| Drain-source voltage | -20/20V |
| Gate charge | 1.5/1.7nC |
| Gate-source voltage | ±6V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of transistor | complementary pair |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 400/500mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 0.25W |
| Type of transistor | N/P-MOSFET |
Техническая документация
Datasheet NTZD3155CT1G
pdf, 85 КБ
