Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › PBHV8115Z,115, Биполярный транзистор, NPN ...

PBHV8115Z,115, Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 1 А, 700 мВт, SOT-223, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1665 шт., срок 8-10 недель

140 руб.

Мин. кол-во для заказа 20 шт.

от 50 шт. — 86 руб.

Добавить в корзину 20 шт. на сумму 2 800 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8000521450

Артикул: PBHV8115Z,115

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The PBHV8115Z is a 1A NPN breakthrough-in small signal (BISS) Transistor in a medium power surface-mount plastic package with increased heat-sink.

• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
• PNP complement is PBHV9115Z
• V8115Z Marking code

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	150В
Continuous Collector Current	1А
DC Current Gain hFE Min	250hFE
DC Усиление Тока hFE	250hFE
Power Dissipation	700мВт
Количество Выводов	4вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	NPN
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	30МГц
Pd - рассеивание мощности	700 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.7 mm
Длина	6.7 mm
Другие названия товара №	934061411115
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	100 at 50 mA, 10 V
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	150 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	225 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SC-73-3
Ширина	3.7 mm
Base Product Number	PBHV8115 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 500mA, 10V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	30MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1.4W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	350mV @ 200mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	150V
Brand	Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO	400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	150 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	225 mV
Configuration	Single
DC Current Gain HFE Max	100 at 50 mA, 10 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V
Factory Pack Quantity	1000
Gain Bandwidth Product FT	30 MHz
Height	1.7 mm
Length	6.7 mm
Manufacturer	Nexperia
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Minimum Operating Temperature	- 55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	PBHV8115Z T/R
Pd - Power Dissipation	700 mW
Product Category	Bipolar Transistors - BJT
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Qualification	AEC-Q101
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Unit Weight	0.035274 oz
Width	3.7 mm
Вес, г	0.12