PBHV9050T,215, Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23

Фото 1/5 PBHV9050T,215, Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
87 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 87 руб.
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8024497587
Артикул: PBHV9050T,215
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Описание Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид PNP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 300 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 80
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.5 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 500 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 500 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.15 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 50 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Nexperia
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number PBHV9050 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 150mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 50mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 50MHz
HTSUS 8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 300mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-236AB
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 10mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 500V
Collector-Emitter Breakdown Voltage 500V
Maximum DC Collector Current 150mA
Pd - Power Dissipation 300mW
Maximum Collector Base Voltage -500 V
Maximum Collector Emitter Voltage 500 V
Maximum Emitter Base Voltage -6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 300 mW
Minimum DC Current Gain 100
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PBHV9050T,215
pdf, 207 КБ
Datasheet PBHV9050T,215
pdf, 90 КБ
Datasheet PBHV9050T.215
pdf, 204 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.