PBHV9050T,215, Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт. со склада г.Москва, срок 3-4 дня
87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 87 руб.
Альтернативные предложения4
Описание
Описание Транзистор: PNP; биполярный; 500В; 0,15А; 300мВт; SOT23 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 500 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 500 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Nexperia |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | PBHV9050 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 150mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 50mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 50MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 300mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-236AB |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 10mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 500V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 500V |
Maximum DC Collector Current | 150mA |
Pd - Power Dissipation | 300mW |
Maximum Collector Base Voltage | -500 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 500 V |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet PBHV9050T,215
pdf, 207 КБ
Datasheet PBHV9050T,215
pdf, 90 КБ
Datasheet PBHV9050T.215
pdf, 204 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.