PHPT60603PYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60603PY/SOT669/LFPAK

PHPT60603PYX, Bipolar Transistors - BJT PHPT60603PY/SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10500 шт., срок 7 недель
49 руб.
Кратность заказа 1500 шт.
от 9000 шт.46 руб.
Добавить в корзину 1500 шт. на сумму 73 500 руб.
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8025625686
Артикул: PHPT60603PYX
Бренд: Nexperia B.V.

Описание

60V 1.25W 150@500mA,2V 3A PNP SOT-669 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Технические параметры

Collector Current (Ic) 3A
Collector Cut-Off Current (Icbo) 100nA
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) 60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) 240mV@3A, 300mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) 150@500mA, 2V
Operating Temperature -
Power Dissipation (Pd) 1.25W
Transistor Type PNP
Transition Frequency (fT) 110MHz
Brand: Nexperia
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 240 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: -3 A
DC Collector/Base Gain hFE Min: 150
DC Current Gain hFE Max: 250
Emitter- Base Voltage VEBO: 8 V
Factory Pack Quantity: 1500
Gain Bandwidth Product fT: 110 MHz
Manufacturer: Nexperia
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: LFPAK56-5
Part # Aliases: 934067879115
Pd - Power Dissipation: 25 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: PNP

Техническая документация

Datasheet
pdf, 728 КБ
Datasheet PHPT60603PYX
pdf, 729 КБ

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.