PMST2222A,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120000 шт., срок 7 недель
6 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 24000 шт. —
5.30 руб.
от 45000 шт. —
4.93 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 18 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN SW 600mA 40V
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | PMST2222A T/R |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.6 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Base Product Number | PMST2222 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| HTSUS | 8541.21.0075 |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Power - Max | 200mW |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q101 -> |
| Supplier Device Package | SOT-323 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 40V |
| Maximum DC Collector Current | 600mA |
| Pd - Power Dissipation | 200mW |
| Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | UMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
