PN2222ATFR, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 300 МГц, 625 мВт, 1 А, 35 hFE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
97 руб.
Мин. кол-во для заказа 30 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
42 руб.
Добавить в корзину 30 шт.
на сумму 2 910 руб.
Описание
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs.
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | 75 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 625 mW |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-92 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов