QH12TZ600Q, Быстрый / ультрабыстрый диод, 600 В, 12 А, Одиночный, 3.1 В, 11.6 нс, 350 А
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
354 шт., срок 8-10 недель
310 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 100 шт. —
293 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 790 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\Диоды\Выпрямители с Быстрым и Ультра Быстрым Восстановлением
The Power Integrations Qspeed H-Series SiC Replacement Diode has the lowest QRR of any 600 V silicon diode.
Технические параметры
Конфигурация диода | Одиночный | |
Average Forward Current | 12А | |
Forward Surge Current | 350А | |
Forward Voltage Max | 3.1В | |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 600В | |
Reverse Recovery Time | 11.6нс | |
Квалификация | AEC-Q101 | |
Количество Выводов | 2 Вывода | |
Линейка Продукции | Qspeed H Series | |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C | |
Стиль Корпуса Диода | TO-220AC | |
Diode Configuration | Single | |
Diode Technology | SiC Schottky | |
Maximum Forward Current | 12A | |
Maximum Reverse Voltage | 600V | |
Mounting Type | Through Hole | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Package Type | TO-220AC | |
Pin Count | 2 |
Техническая документация
Datasheet QH12TZ600Q
pdf, 366 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды выпрямительные»
Типы корпусов импортных диодов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.