Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › QH8MA4TCR

QH8MA4TCR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

36 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней

280 руб.

от 2 шт. — 230 руб.

от 10 шт. — 181 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 280 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8003032226

Бренд: Rohm

Описание

Электроэлемент

MOSFET, N AND P-CH, 30V, 9A, TSMT8, Transistor Polarity:N and P Channel, Continuous Drain Current Id:9A, Drain Source Voltage Vds:30V, On Resistance Rds(on):0.0123ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.5V, Power , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Transistor Polarity	N and P Channel; Continuous Drain Current Id
Brand	ROHM Semiconductor
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Dual
Factory Pack Quantity	3000
Fall Time	7 ns, 22 ns
Forward Transconductance - Min	4.4 S, 5.5 S
Id - Continuous Drain Current	9 A, 8 A
Manufacturer	ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Number Of Channels	2 Channel
Package / Case	TSMT-8
Packaging	Cut Tape or Reel
Part # Aliases	QH8MA4
Pd - Power Dissipation	2.6 W
Product Category	MOSFET
Product Type	MOSFET
Qg - Gate Charge	15.5 nC, 19.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	12.3 mOhms, 22 mOhms
Rise Time	19 ns, 16 ns
Subcategory	MOSFETs
Technology	Si
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	33 ns, 55 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns, 10 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V, 2.5 V
Вес, г	5.58