QS8M51FRATR, Двойной МОП-транзистор, Дополнительные каналы N и P, 100 В, 2 А, 0.24 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3000 шт., срок 8-10 недель
360 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
241 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 880 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы
Этот продукт доступен для процессов оценки и разработки. При желании одобрения этого устройства, пожалуйста, свяжитесь с местным представительством ROHM.
Технические параметры
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.24Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.24Ом |
| Power Dissipation N Channel | 1.5Вт |
| Power Dissipation P Channel | 1.5Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 100В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 2А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 2А |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.24Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.002 |
Техническая документация
Datasheet QS8M51FRATR
pdf, 2362 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
