QSE113E3R0, Фототранзистор, 880 нм, 50 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
Мин. кол-во для заказа 15 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
89 руб.
Добавить в корзину 15 шт.
на сумму 3 300 руб.
Описание
Оптоэлектроника и Дисплеи\Фототранзисторы
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker T/R
Технические параметры
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Типичное Значение Длины Волны | 880нм |
Угол Обзора | 50° |
Энергопотребление | 100мВт |
Automotive | No |
Cut-Off Filter | Visible Cut-off |
ECCN (US) | EAR99 |
Fabrication Technology | NPN Transistor |
Half Intensity Angle Degrees (°) | 25 |
Lens Color | Black Transparent |
Lens Shape Type | Domed |
Material | Silicon |
Maximum Collector Current (mA) | 5 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.4 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Dark Current (nA) | 100 |
Maximum Emitter-Collector Voltage (V) | 5 |
Maximum Fall Time (ns) | 8000(Typ) |
Maximum Light Current (uA) | 1500 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 100 |
Maximum Rise Time (ns) | 8000(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Mounting | Through Hole |
Number of Channels per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
Peak Wavelength (nm) | 880 |
Phototransistor Type | Phototransistor |
Pin Count | 2 |
Polarity | NPN |
PPAP | No |
Standard Package Name | Side Looker |
Supplier Package | Side Looker |
Type | IR Chip |
Viewing Orientation | Side View |
Вес, г | 0.4 |