R6004ENX, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 4 А, 0.9 Ом, TO-220FM, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

53 шт., срок 8-10 недель

400 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 10 шт. — 340 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 800 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8865504055

Артикул: R6004ENX

Бренд: Rohm

N-канал 600V 4A (Tc) 40W (Tc) сквозное отверстие TO-220FM

Base Product Number	R6004 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/transisto
Package	Bulk
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	980mOhm @ 1.5A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Simulation Models	http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
Supplier Device Package	TO-220FM
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.5V
Maximum Continuous Drain Current	4 A
Maximum Drain Source Resistance	1.36 Ω
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Source Voltage	±20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	40 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220FM
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Typical Gate Charge @ Vgs	15 nC @ 10 V
Width	4.8mm
Вес, г	0.01

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем