R6047ENZ4C13
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
454 шт., срок 7-9 недель
480 руб.
от 10 шт. —
440 руб.
от 30 шт. —
410 руб.
от 90 шт. —
381.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 480 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор 600V N-CH 47A POWER МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 47 A |
| Pd - рассеивание мощности | 481 W |
| Qg - заряд затвора | 145 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 72 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 100 ns |
| Время спада | 100 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 260 ns |
| Типичное время задержки при включении | 50 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Base Product Number | R6047 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 47A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3850pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 481W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 72mOhm @ 25.8A, 10V |
| REACH Status | REACH Affected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-247 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.066Ом |
| Power Dissipation | 481Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 47А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 481Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.066Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 47 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 70 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | 150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 481 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | R6047ENZ4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Width | 5.22mm |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
