Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Rohm › R6504ENJTL, Силовой МОП-транзистор ...

R6504ENJTL, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 650 В, 4 А, 0.955 Ом, TO-263S, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

97 шт., срок 8-10 недель

390 руб.

Мин. кол-во для заказа 7 шт.

от 10 шт. — 330 руб.

Добавить в корзину 7 шт. на сумму 2 730 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8002770303

Артикул: R6504ENJTL

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

МОП-транзистор 650V N-CH 4A POWER МОП-транзистор

Технические параметры

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.955Ом
Power Dissipation	58Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	4А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	58Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.955Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-263S
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	58 W
Qg - заряд затвора	15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.05 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	20 ns
Время спада	45 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	55 ns
Типичное время задержки при включении	15 ns
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок	TO-263-3
Вес, г	0.01