RFM04U6P(TE12L,F)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
934 шт., срок 8-10 недель
820 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 280 руб.
Альтернативные предложения2
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gain: | 13.3 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 470 MHz |
| Output Power: | 4.3 W |
| Package / Case: | PW-Mini-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 7 W |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | RFM04 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 16 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 0.7 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 210 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
