RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 шт., срок 8-10 недель
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
540 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 920 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.4В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 48А |
Power Dissipation | 111Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Pd - рассеивание мощности | 111 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | RGCL60TS60 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 808 КБ
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 614 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.