RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Фото 1/2 RGCL60TS60GC11, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.4 В, 111 Вт, 600 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 шт., срок 8-10 недель
730 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.540 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 920 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8001734437
Артикул: RGCL60TS60GC11
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.4В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 48А
Power Dissipation 111Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247N
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности 111 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № RGCL60TS60
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 808 КБ
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 614 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.