RGS80TS65HRC11, IGBT Single Transistor, 73 A, 1.65 V, 650 V, TO-247N, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

86 шт., срок 7-9 недель

1 350 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 1 140 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 2 700 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004137516

Артикул: RGS80TS65HRC11

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 40A FIELD STOP TRENCH

Collector Emitter Saturation Voltage	1.65В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	73А
Power Dissipation	272Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247N
Pd - рассеивание мощности	272 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Квалификация	AEC-Q101
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	73 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247N-3
Вес, г	0.45