RGSX5TS65EHRC11, БТИЗ транзистор, 114 А, 1.7 В, 404 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт., срок 7-9 недель
3 030 руб.
от 5 шт. —
2 760 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 030 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGSX series is a 8μs SCSOA guaranteed field stop trench IGBT, suitable for heater of automotive.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 75 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 404 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet RGSX5TS65EHRC11
pdf, 5283 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
