RGT40TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 17 А, 1.65 В, 39 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)

Фото 1/2 RGT40TM65DGC9, БТИЗ транзистор, 17 А, 1.65 В, 39 Вт, 650 В, TO-220NFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
35 шт., срок 7-9 недель
660 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт.560 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 2 640 руб.
Номенклатурный номер: 8001797656
Артикул: RGT40TM65DGC9
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Траншейные IGBT с полевой остановкой

ROHM Trench с полевой остановкой IGBT - это энергосберегающие высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти БТИЗ имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, выдерживают короткое замыкание и обладают очень быстрым встроенным усилителем; мягкое восстановление FRD. Траншейные БТИЗ с ограничителем поля идеальны для ИБП, стабилизаторов напряжения, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.65В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 17А
Power Dissipation 39Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-220NFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности: 39 W
Вид монтажа: Through Hole
Другие названия товара №: RGT40TM65D
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 30 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 17 A
Подкатегория: IGBTs
Производитель: ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки: 50
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 200 nA
Торговая марка: ROHM Semiconductor
Упаковка / блок: TO-220-3
Упаковка: Tube
Вес, г 2

Техническая документация

Datasheet RGT40TM65DGC9
pdf, 1394 КБ
Datasheet RGT40TM65DGC9
pdf, 1401 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.