RGT50NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 48 А, 1.65 В, 194 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
34 шт., срок 7-9 недель
810 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
690 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 240 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 48А |
| Power Dissipation | 194Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Pd - рассеивание мощности | 194 W |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Другие названия товара № | RGT50NS65D(TO-262) |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
| Конфигурация | Single |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-262-3 |
| Base Product Number | RGT50 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 48A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 75A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 49nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA |
| Power - Max | 194W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 58ns |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-262 |
| Td (on/off) @ 25В°C | 27ns/88ns |
| Test Condition | 400V, 25A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT50NS65DGC9
pdf, 657 КБ
Datasheet RGT50NS65DGC9
pdf, 901 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
