RGT8NS65DGC9, БТИЗ транзистор, 8 А, 1.65 В, 65 Вт, 650 В, TO-262, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
48 шт., срок 7-9 недель
350 руб.
Мин. кол-во для заказа 8 шт.
от 10 шт. —
290 руб.
Добавить в корзину 8 шт.
на сумму 2 800 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGT8NS65DGC9
pdf, 894 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
