RGT8NS65DGTL, БТИЗ транзистор, полевой, 8 А, 1.65 В, 65 Вт, 650 В, TO-263S, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1000 шт., срок 7-9 недель
390 руб.
Мин. кол-во для заказа 7 шт.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
261 руб.
Добавить в корзину 7 шт.
на сумму 2 730 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Траншейные IGBT с полевым затвором ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.65В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 8А |
| Power Dissipation | 65Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263S |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 8 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 8 A |
| Continuous Collector Current: | 4 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Package / Case: | TO-263-3 |
| Part # Aliases: | RGT8NS65D(LPDS) |
| Pd - Power Dissipation: | 65 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | RGT8NS65D |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 730 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
