RGTH00TK65GC11, БТИЗ транзистор, 35 А, 1.6 В, 72 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

446 шт., срок 7-9 недель

1 050 руб.

Мин. кол-во для заказа 3 шт.

от 10 шт. — 890 руб.

от 100 шт. — 709 руб.

Добавить в корзину 3 шт. на сумму 3 150 руб.

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001734440

Артикул: RGTH00TK65GC11

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Collector Emitter Saturation Voltage	1.6В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	35А
Power Dissipation	72Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-3PFM
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Pd - рассеивание мощности	72 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	RGTH00TK65
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация	Single
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	30 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	35 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	ROHM Semiconductor
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-3PFM
Вес, г	2