RGTH00TS65DGC13, БТИЗ транзистор, 85 А, 1.6 В, 277 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

23 шт., срок 7-9 недель

1 590 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 10 шт. — 1 340 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 180 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009492174

Артикул: RGTH00TS65DGC13

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные

ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage .

Configuration	Single Collector, Single Emitter, Single Gate
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	85 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
Maximum Power Dissipation	277 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247GE
Вес, г	2