RGTH50TS65GC13, БТИЗ транзистор, 50 А, 1.6 В, 174 Вт, 650 В, TO-247GE, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
1 210 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
1 030 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 630 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
ROHM Field Stop Trench IGBT is an IGBT with high speed switching. It has low collector emitter saturation voltage.
Технические параметры
| Configuration | Single Collector, Single Emitter, Single Gate |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 50 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 174 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247GE |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 881 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
