RGTH80TS65DGC13, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 70A/234W/TO247GE
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 шт., срок 7-9 недель
1 570 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 310 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 140 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 70А |
| Power Dissipation | 234Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Field Stop Trench Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247GE |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 926 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
