RGW00TK65DGVC11, БТИЗ транзистор, 45 А, 1.5 В, 89 Вт, 650 В, TO-3PFM, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
26 шт., срок 7-9 недель
1 490 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 260 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 2 980 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 45А |
| Power Dissipation | 89Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-3PFM |
| Вес, г | 6.35 |
Техническая документация
Datasheet RGW00TK65DGVC11
pdf, 1929 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
