RGW00TS65DHRC11, БТИЗ транзистор, 96 А, 1.5 В, 254 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

20 шт., срок 7-9 недель

1 990 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 1 850 руб.

от 10 шт. — 1 680 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 3 980 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8009685421

Артикул: RGW00TS65DHRC11

Бренд: Rohm

Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные

The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.

Channel Type	N
Configuration	Single
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±30V
Maximum Power Dissipation	254 W
Mounting Type	Through Hole
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247N
Pin Count	3
Transistor Configuration	Common Emitter
Brand:	ROHM Semiconductor
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.9 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	96 A
Continuous Collector Current Ic Max:	200 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	30
Gate-Emitter Leakage Current:	200 nA
Manufacturer:	ROHM Semiconductor
Maximum Gate Emitter Voltage:	-30 V, 30 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-40 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247N-3
Packaging:	Tube
Part # Aliases:	RGW00TS65DHR
Pd - Power Dissipation:	254 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	2