RGW50TS65GC11, TRANSISTOR, IGBT, 650V, 50A/156W/TO-247N
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-9 недель
1 150 руб.
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
980 руб.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 3 450 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 50А |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6.42 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
