RGW80TS65DHRC11, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.5 В, 214 Вт, 650 В, TO-247N, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
15 шт., срок 7-9 недель
1 770 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
1 490 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 3 540 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
The ROHM RGW series field stop trench IGBT suitable for automotive, on & off board computer, DC-DC converters, PFC, industrial inverter.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30V |
| Maximum Power Dissipation | 214 W |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247N |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Common Emitter |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet RGW80TS65DHRC11
pdf, 5793 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
