RQ6E030ATTCR, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 30 В, 3 А, 0.07 Ом, TSMT, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3190 шт., срок 8-10 недель
130 руб.
Мин. кол-во для заказа 20 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
84 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 2 600 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
МОП-транзистор Pch -30V -3A Middle Power МОП-транзистор
Технические параметры
| Channel Type | P Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Power Dissipation | 1.25Вт |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Рассеиваемая Мощность | 1.25Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSMT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 5.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 8.5 ns |
| Время спада | 5.5 ns |
| Другие названия товара № | RQ6E030AT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 22 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-457-6 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-457T |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 5.58 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1530 КБ
Datasheet RQ6E030ATTCR
pdf, 2949 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
